摘要：本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路，包括憶阻器、第一電阻、第二電阻和運(yùn)算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯(lián)在運(yùn)算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的第二輸入端；第二電阻的一端連接至運(yùn)算比較器的第一輸入端，第二電阻的另一端接地；運(yùn)算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運(yùn)算比較器的輸出端作為聯(lián)想記憶電路的輸出端；聯(lián)想記憶電路的第一輸入端和第二輸入端分別用于接收條件刺激信號(hào)和非條件刺激信號(hào)，聯(lián)想記憶電路的輸出端用于輸出反應(yīng)信號(hào)。本發(fā)明可以根據(jù)施加條件刺激和非條件刺激信號(hào)的時(shí)間關(guān)系，模擬生物聯(lián)想記憶的形成過程和遺忘過程。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人繆向水;李祎;許磊;鐘應(yīng)鵬;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請?zhí)?/b>CN201310516829.2
- 申請時(shí)間2013年10月28日
- 申請公布號(hào)CN103580668B
- 申請公布時(shí)間2016年04月20日
- 分類號(hào)H03K19/00(2006.01)I;
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