摘要：本發(fā)明公開了一種高方阻鋁膜，包括基膜、加厚區(qū)、漸變方阻區(qū)，所述加厚區(qū)和所述漸變方阻區(qū)均為位于所述基膜上方的金屬蒸鍍層，且所述加厚區(qū)位于所述基膜的一側(cè)，所述漸變方阻區(qū)位于所述基膜的另一側(cè)和所述加厚區(qū)之間，且所述漸變方阻區(qū)的厚度自所述加厚區(qū)連接處向所述基膜的另一側(cè)逐漸降低。所述加厚區(qū)降低了薄膜電容器的噴金層和芯子的接觸電阻，能承受比較大的電流。所述漸變方阻區(qū)使其方塊電阻出現(xiàn)從小到大的變化，并與電容器的電流密度分布相適應(yīng)，提高電容器的耐壓強度。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人安徽賽福電子有限公司;
- 發(fā)明人許明建;周峰;
- 地址244000 安徽省銅陵市獅子山區(qū)棲鳳路1771號
- 申請?zhí)?/b>CN201310400393.0
- 申請時間2013年09月06日
- 申請公布號CN103456492B
- 申請公布時間2016年10月19日
- 分類號H01G4/005(2006.01)I;
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