摘要：本實(shí)用新型公開(kāi)了一種金屬薄膜電容，包括絕緣基板，在絕緣基板的頂部設(shè)有帶引出端的金屬薄膜電極，在引出端接口外的金屬薄膜電極表面上設(shè)有介質(zhì)薄膜，在介質(zhì)薄膜的頂部設(shè)有帶引出端的金屬薄膜電極。本實(shí)用新型通過(guò)掩膜工藝沉積出兩層厚度較小的金屬膜作為上下電極，極大地減少了金屬用量，降低了生產(chǎn)成本，制作工藝簡(jiǎn)單。介質(zhì)薄膜的厚度小，機(jī)械強(qiáng)度高，具有較高的穩(wěn)定性，可適應(yīng)多種復(fù)雜環(huán)境。本實(shí)用新型的可以通過(guò)產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)來(lái)進(jìn)行植被，具有重要的現(xiàn)實(shí)意義，而且制作的成本較為低廉，而且所得到的產(chǎn)品具有較好的物理性能及化學(xué)穩(wěn)定性，使用壽命長(zhǎng)，制作成本較低，具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。
- 專(zhuān)利類(lèi)型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人鄧朝勇;馬亞林;石健;崔瑞瑞;
- 地址550003 貴州省貴陽(yáng)市蔡家關(guān)貴州大學(xué)科技處
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201120283891.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年08月05日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN202332579U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年07月11日
- 分類(lèi)號(hào)H01G4/005(2006.01)I;H01G4/228(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I;H01G4/008(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;
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