摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬薄膜電容，包括絕緣基板，在絕緣基板的頂部設(shè)有帶引出端Ⅰ的金屬薄膜電極Ⅰ，在引出端Ⅰ接口外的金屬薄膜電極Ⅰ表面上設(shè)有介質(zhì)薄膜，在介質(zhì)薄膜的頂部設(shè)有帶引出端Ⅱ的金屬薄膜電極Ⅱ。本發(fā)明采用五氧化二鉭等既絕緣，又具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性的材料制成的薄膜作為電介質(zhì)，解決一般薄膜電容器電介質(zhì)的介電常數(shù)低，耐熱差，成膜性差，機(jī)械強(qiáng)度低等問(wèn)題。而且通過(guò)掩膜工藝，沉積兩層金屬膜作為上下電極，極大地減少了金屬用量，降低了生產(chǎn)成本，制作工藝簡(jiǎn)單。選用鉭、鈮、銅、銀等金屬或它們合金作為金屬薄膜電極，它們的電阻率很低，并且可耐高溫高壓，具有較高的穩(wěn)定性，可適應(yīng)多種復(fù)雜環(huán)境。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人鄧朝勇;馬亞林;石健;崔瑞瑞;
- 地址550003 貴州省貴陽(yáng)市蔡家關(guān)貴州大學(xué)科技處
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110224068.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年08月05日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102385985A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年03月21日
- 分類(lèi)號(hào)H01G4/005(2006.01)I;H01G4/228(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I;H01G4/008(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;
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