摘要：本發(fā)明公開了高溫陶瓷基薄膜熱電偶及其制作方法，屬于傳感器制備技術(shù)及高溫溫度測量技術(shù)領(lǐng)域。該熱電偶依次包括陶瓷基底1、SiO2層2、第一Al2O3層3、中間層4、第二Al2O3層5、熱電偶層6和第三Al2O3層7。其有益效果：1、采用SiO2過渡層，增強(qiáng)絕緣層與陶瓷基底界面之間的結(jié)合力；2、采用Al2O3-Si3N4/AlN-Al2O3復(fù)合絕緣層，產(chǎn)生優(yōu)良的絕緣性能同時(shí)還可以防止氧氣進(jìn)入，減少內(nèi)層薄膜的氧化，保證傳感器具有良好的動態(tài)響應(yīng)。3、有效降低薄膜由于熱載荷引起的熱應(yīng)力，保證成膜質(zhì)量和薄膜的穩(wěn)定性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人苑偉政;馬旭輪;馬炳和;鄧進(jìn)軍;朱鵬飛;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請?zhí)?/b>CN201310280791.3
- 申請時(shí)間2013年07月05日
- 申請公布號CN103344350A
- 申請公布時(shí)間2013年10月09日
- 分類號G01K7/02(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;
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