摘要:本實(shí)用新型公開了一種用于制備二硫化鉬薄膜的分子束外延生長(zhǎng)裝置,其特征在于,所述裝置包括超高真空反應(yīng)腔、控制器、襯底加熱器、襯底托板架和分子束源爐,所述控制器通過(guò)操縱桿透過(guò)超高真空反應(yīng)腔上部連接襯底加熱器,所述襯底加熱器位于超高真空反應(yīng)腔中部;所述襯底托板架與襯底加熱器相對(duì)設(shè)置;所述分子束源爐通過(guò)分子束源爐接口連接到超高真空反應(yīng)腔的下部,其中分子束源爐接口與所述襯底托板架傾斜相對(duì);所述分子束源爐包括氧化鉬分子束源爐和硫分子束源爐。采用本裝置可實(shí)現(xiàn)分子束外延技術(shù)可控生長(zhǎng)二硫化鉬薄膜,且生長(zhǎng)的二硫化鉬薄膜結(jié)構(gòu)規(guī)則,表面平整。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人廈門烯成新材料科技有限公司;
- 發(fā)明人王振中;
- 地址361015 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓南樓S301C室
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201520310719.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年05月14日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN204644499U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年09月16日
- 分類號(hào)C30B25/02(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;




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