摘要：本實用新型公開了一種留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，包括絕緣質(zhì)地的基膜和位于所述基膜上的金屬鍍層，所述金屬鍍層位于所述基膜的一側(cè)，所述基膜的另一側(cè)設(shè)置有留邊，所述留邊的邊緣側(cè)為波浪切邊結(jié)構(gòu)；所述金屬鍍層朝向所述留邊的一側(cè)為鍍層厚度一致的高阻區(qū)，所述金屬鍍層背向所述留邊的一側(cè)為鍍層厚度一致的低阻區(qū)，所述高阻區(qū)的鍍層厚度小于所述低阻區(qū)的鍍層厚度，且所述高阻區(qū)和所述低阻區(qū)之間設(shè)置有鍍層厚度漸變的過渡區(qū)。本實用新型所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，改善了電容器制成品的耐壓性能，高阻區(qū)可以適應(yīng)大電流的沖擊，并增強與噴金層的融接能力，使接觸電阻下降到更低的可控范圍。
- 專利類型實用新型
- 申請人安徽賽福電子有限公司;
- 發(fā)明人曹駿驊;吳平;
- 地址244000 安徽省銅陵市獅子山區(qū)棲鳳路1771號
- 申請?zhí)?/b>CN201420816741.2
- 申請時間2014年12月22日
- 申請公布號CN204289100U
- 申請公布時間2015年04月22日
- 分類號H01G4/33(2006.01)I;H01G4/015(2006.01)I;
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