摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種疊片式金屬化薄膜電容，包括絕緣基板，在絕緣基板上設(shè)有金屬薄膜電極Ⅰ及金屬薄膜電極Ⅱ，在金屬薄膜電極Ⅰ與金屬薄膜電極Ⅱ之間設(shè)有將它們完全分隔的介質(zhì)薄膜，金屬薄膜電極Ⅰ、金屬薄膜電極Ⅱ及介質(zhì)薄膜組成疊片式結(jié)構(gòu)，金屬薄膜電極Ⅰ上設(shè)有引出電極Ⅰ，在金屬薄膜電極Ⅱ上設(shè)有引出電極Ⅱ；在疊片式結(jié)構(gòu)的外部設(shè)有鈍化保護(hù)層。本發(fā)明采用五氧化二鉭等既絕緣，又具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性的材料制成的薄膜作為電介質(zhì)，解決一般薄膜電容器電介質(zhì)的介電常數(shù)低，耐熱差，成膜性差，機(jī)械強(qiáng)度低等問(wèn)題。而且通過(guò)掩膜工藝，沉積兩層金屬膜作為電極，極大地減少了金屬用量，降低了生產(chǎn)成本，制作工藝簡(jiǎn)單。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人鄧朝勇;馬亞林;石健;張安邦;
- 地址550025 貴州省貴陽(yáng)市花溪區(qū)貴州大學(xué)北校區(qū)科學(xué)技術(shù)處
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110386265.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年11月29日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102394177A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年03月28日
- 分類號(hào)H01G4/33(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;
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