一種二硒化鈷/碳納米材料及其制備方法與應(yīng)用

　　摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為1μm～2μm的CoSe₂層以及厚度為1nm～10nm的無(wú)定形碳層，所述CoSe₂層生長(zhǎng)于所述基底表面，呈現(xiàn)三維片狀結(jié)構(gòu)，所述無(wú)定形碳層附著于所述CoSe₂層表面，且所述CoSe₂層與所述無(wú)定形碳層的質(zhì)量比為90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發(fā)明通過(guò)將無(wú)定形碳層附著于CoSe₂材料表面，從而提高了納米材料的循環(huán)穩(wěn)定性，從而進(jìn)一步使制備獲得的鋰離子電池，既具有高導(dǎo)電率、高容量的優(yōu)點(diǎn)，又具有更好的循環(huán)穩(wěn)定性和使用壽命。

專利類型發(fā)明專利
申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
發(fā)明人朱明強(qiáng);喻能;
地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510777661.X

申請(qǐng)時(shí)間2015年11月14日

申請(qǐng)公布號(hào)CN105428647A

申請(qǐng)公布時(shí)間2016年03月23日

分類號(hào)H01M4/58(2010.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/1397(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;

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