摘要：本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷?石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述納米石墨烯底層厚度在4000nm至6000nm之間，所述納米氫氧化鈷表層厚度在50nm至100nm之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜；組建三電極體系采用循環(huán)伏安法將氫氧化鈷沉積在納米石墨烯膜表面，干燥。本發(fā)明所提供的方法操作簡單、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提供的復(fù)合薄膜應(yīng)用于納米電化學(xué)傳感器領(lǐng)域時(shí)可顯著提高特定物質(zhì)的檢測限和檢測靈敏度，應(yīng)用前景十分廣闊。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學(xué);深圳華中科技大學(xué)研究院;
- 發(fā)明人劉宏芳;董爽;肖菲;秦雙;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201410266770.0
- 申請時(shí)間2014年06月16日
- 申請公布號CN104191702B
- 申請公布時(shí)間2016年08月31日
- 分類號B32B9/00(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I;G01N27/333(2006.01)I;
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