摘要：一種采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝實(shí)現(xiàn)高耐壓的整流器，其特征是由電容(C1)-電容(C4)、NMOS晶體管(T1)-NMOS晶體管(T4)、電阻(RL)等構(gòu)成；本發(fā)明通過在整流器所使用的晶體管的柵極上串聯(lián)電容或類電容結(jié)構(gòu)的器件來分壓加至在晶體管的柵極上的電壓，用于集成基于采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝實(shí)現(xiàn)的不揮發(fā)型的存儲器的RFID電子標(biāo)簽/智能卡芯片的實(shí)現(xiàn)。采用本發(fā)明整流器，有助于集成基于采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝實(shí)現(xiàn)的不揮發(fā)型的存儲器，并有助于降低RFID電子標(biāo)簽/智能卡芯片的制造和工藝成本。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人四川凱路威電子有限公司;
- 發(fā)明人王兼明;毛軍華;巫向東;
- 地址621000四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路96號1樓
- 申請?zhí)?/b>CN200610021583.1
- 申請時間2006年08月11日
- 申請公布號CN100553098C
- 申請公布時間2009年10月21日
- 分類號H02M7/217(2006.01)I;H02M7/219(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;
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