摘要：本發(fā)明公開了一種基于CMOS工藝的閾值電壓自補(bǔ)償?shù)腞F-DC轉(zhuǎn)換器，其電路級(jí)數(shù)是N，跨M級(jí)電路結(jié)構(gòu)。首先，電路采用了標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下的MOS管，使得電路能夠與其他電路模塊集成，能夠?qū)崿F(xiàn)電路的小型化和集成化；其次，該RF-DC轉(zhuǎn)化器使用了閾值電壓自補(bǔ)償技術(shù)，有效的降低了轉(zhuǎn)換器件的閾值電壓，使其能夠接收小功率的RF能量。轉(zhuǎn)換器件的閾值電壓補(bǔ)償是通過(guò)將NMOS的柵極接在后級(jí)更高電位的偏置，將PMOS的柵極接在前級(jí)更低電位的偏置來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人王偉印;王曦;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510978265.3
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年12月23日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105610332A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年05月25日
- 分類號(hào)H02M7/217(2006.01)I;H02M1/06(2006.01)I;
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