摘要：本發(fā)明公開了一種基于CMOS工藝的閾值電壓自補償?shù)腞F-DC轉換器，其電路級數(shù)是N，跨M級電路結構。首先，電路采用了標準CMOS工藝下的MOS管，使得電路能夠與其他電路模塊集成，能夠?qū)崿F(xiàn)電路的小型化和集成化；其次，該RF-DC轉化器使用了閾值電壓自補償技術，有效的降低了轉換器件的閾值電壓，使其能夠接收小功率的RF能量。轉換器件的閾值電壓補償是通過將NMOS的柵極接在后級更高電位的偏置，將PMOS的柵極接在前級更低電位的偏置來實現(xiàn)的。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學;
- 發(fā)明人王偉印;王曦;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201510978265.3
- 申請時間2015年12月23日
- 申請公布號CN105610332A
- 申請公布時間2016年05月25日
- 分類號H02M7/217(2006.01)I;H02M1/06(2006.01)I;
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