摘要：高可靠低讀電壓一次性編程存儲(chǔ)器，涉及集成電路技術(shù)，本發(fā)明包括第一MOS管、第二MOS管、反熔絲元件；第一MOS管的柵端接第二連接線WS，其第一連接端通過反熔絲元件連接第一連接線WP，第二連接端接第三連接線BL；第二MOS管的第一連接端接第四連接線BR，第二連接端接第三連接線BL；還包括一個(gè)限壓器件，其具有一個(gè)控制端和兩個(gè)連接端，其控制端連接一條控制信號(hào)線WB，其一個(gè)連接端連接反熔絲器件和第一MOS管的連接點(diǎn)，另一個(gè)連接端連接第二MOS管的柵端。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)的高壓沖擊所引起的關(guān)鍵路徑的器件損壞、退化而難題，避免了可能導(dǎo)致的漏電隱患(高壓對第二MOS管柵端的沖擊)，提高了器件的可靠性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人四川凱路威電子有限公司;
- 發(fā)明人廖旭陽;毛軍華;彭澤忠;
- 地址621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路128號(hào)
- 申請?zhí)?/b>CN201610316964.6
- 申請時(shí)間2016年05月13日
- 申請公布號(hào)CN106024064A
- 申請公布時(shí)間2016年10月12日
- 分類號(hào)G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I;
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