用途：
高真空退火爐供大規(guī)模集成電路、MEMS 生產(chǎn)線用做6"硅片的合金、氧化、退火、燒結(jié)、擴(kuò)散等工藝使用。同時(shí)也可下沉工藝，完成4寸wafer 的相應(yīng)工藝。
一、設(shè)備結(jié)構(gòu):
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圓形6寸片
3、工藝布局:滿足客戶工藝要求
4、自動(dòng)化程度:工控機(jī)控制系統(tǒng)自動(dòng)控制工藝流程
5、送取片方式:手動(dòng)進(jìn)出舟。
6、外形:主機(jī)1臺(tái)，主機(jī)架為臥式兩管。
二、主要技術(shù)參數(shù):
1、加熱爐管有效口徑:滿足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作溫度范圍: 200~800℃
3、恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度: 600mm，
4、控制方式:由工控機(jī)統(tǒng)一管理工藝
5、真空度：2*10-4 Pa
