摘要：本實(shí)用新型公開了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜。包括陰極，陽極陣列，以及設(shè)置在陰極和陽極陣列間的介電層；陽極陣列由M×N元陣列分布的陽極單元構(gòu)成，陽極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為M×N元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，陽極單元與電調(diào)光反射率單元一一對(duì)應(yīng)，構(gòu)成電調(diào)光反射率單元的陽極，所有電調(diào)光反射率單元共用陰極；通過陽極單元和陰極對(duì)電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，進(jìn)而通過調(diào)變加載在電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)可尋址電調(diào)光反射率的控光操作。本實(shí)用新型具有偏振不敏感、驅(qū)控靈活、調(diào)光響應(yīng)快以及反射光強(qiáng)變動(dòng)范圍大的特點(diǎn)。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人張新宇;信釗煒;魏東;吳勇;袁瑩;彭莎;張波;王海衛(wèi);謝長生;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201620197196.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年03月15日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN205427367U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年08月03日
- 分類號(hào)G02F1/03(2006.01)I;
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