摘要：一種GaN基光電子器件，用MOVPE技術(shù)在襯底上生長(zhǎng)外延層，外延層包括按序生長(zhǎng)的緩沖層，N－型AlaInbGacN層，量子阱組成有源層，P－型AlGaN限制層，P－型GaN層。其緩沖層為復(fù)合型緩沖層，包括InxGal－xN層和/或AlyGal－yN層(可Si摻雜)。復(fù)合型緩沖層的生長(zhǎng)溫度為400～800℃；N－型GaN的生長(zhǎng)溫度為800～1300℃。復(fù)合型緩沖層可使N－型GaN層生長(zhǎng)較厚，不僅達(dá)到降低缺陷密度和防止龜裂，而且優(yōu)化發(fā)光二極管的性能。通過(guò)對(duì)復(fù)合型緩沖層的生長(zhǎng)次序、組份和厚度的調(diào)整，可分別實(shí)現(xiàn)厚的和高質(zhì)量的N－型GaN，N－型AlGaN，N－型InGaN，和N－型AlInGaN的生長(zhǎng)，從而可以極大地提高各種不同波長(zhǎng)(如紫外光、蘭光和綠光)發(fā)光二極管制作的靈活性。
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