摘要：GaN基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件P型電極，由GaN基半導(dǎo)體層之上的導(dǎo)電金屬半透明電極部分和表面粗糙光學(xué)透明晶體部分構(gòu)成。其制法為：在GaN基半導(dǎo)體層之上用電子束蒸發(fā)法蒸鍍用于與P型GaN基半導(dǎo)體層間形成歐姆接觸的金屬層；而后在400℃～600℃的溫度下在含氧的氣氛中退火，使金屬變成與P型氮化物半導(dǎo)體材料層具有良好歐姆接觸的半透明電極；繼而在電極上用直接方式或者間接方式在20℃～600℃的溫度下制備表面粗糙的透明晶體層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明除了具有良好透光率、低電阻率和與P型GaN間有良好的歐姆接觸的特點(diǎn)外，還具有可以提高器件的發(fā)光效率、大幅降低成本和工藝過程簡單的特點(diǎn)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人大連路明科技集團(tuán)有限公司;
- 發(fā)明人陳顯峰;胡禮中;肖志國;
- 地址116025遼寧省大連市高新園區(qū)七賢嶺高能街1號
- 申請?zhí)?/b>CN200610093382.2
- 申請時(shí)間2006年06月21日
- 申請公布號CN101093866A
- 申請公布時(shí)間2007年12月26日
- 分類號H01L33/00(2006.01);
教育裝備采購網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號
