摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種閃存錯(cuò)誤模式的測(cè)試方法,隨著閃存存儲(chǔ)容量的提升，存儲(chǔ)單元受到強(qiáng)烈的噪聲干擾，導(dǎo)致比特錯(cuò)誤數(shù)量超過(guò)了當(dāng)前糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力，使得當(dāng)前的糾錯(cuò)碼不能滿足保證數(shù)據(jù)可靠性的需求，為了針對(duì)閃存的錯(cuò)誤特征設(shè)計(jì)有效的糾錯(cuò)碼，需要對(duì)閃存的錯(cuò)誤模式有一個(gè)清晰的理解，因此，本發(fā)明涉及一種閃存錯(cuò)誤模式的測(cè)試方法，該方法包括兩個(gè)階段，數(shù)據(jù)寫入和檢驗(yàn)。在測(cè)試過(guò)程中，我們?cè)O(shè)計(jì)了兩個(gè)關(guān)鍵的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)：地址列表用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)寫入閃存時(shí)的地址和錯(cuò)誤信息列表用于存儲(chǔ)頁(yè)對(duì)應(yīng)的比特錯(cuò)誤信息,在數(shù)據(jù)檢驗(yàn)階段,通過(guò)特殊的操作繞過(guò)控制器中的糾錯(cuò)過(guò)程獲取存儲(chǔ)在閃存中的原始數(shù)據(jù),通過(guò)該測(cè)試方法能夠?qū)﹂W存各種錯(cuò)誤模式進(jìn)行研究和分析。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人吳非;謝長(zhǎng)生;張猛;夏倩;馬瑞祥;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610846506.3
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年09月20日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN106445725A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年02月22日
- 分類號(hào)G06F11/10(2006.01)I;
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