摘要：本發(fā)明公開了一種用于單晶硅表面圖案化微加工的貴金屬催化化學腐蝕法。本發(fā)明采用（100）或（111）單晶硅片，常溫下利用丙酮、無水乙醇和氫氟酸處理得到清潔的硅表面，然后在清潔的單晶硅表面上做設定圖案的光刻掩膜；配制氫氟酸/貴金屬鹽溶液/氧化劑均勻混合的腐蝕液并放入水浴中預熱，把硅片浸入腐蝕液，在一定的溶液配比下通過控制水浴溫度與反應時間即可獲得表面圖案化微加工的單晶硅片。本發(fā)明利用特定貴金屬催化工藝技術，單步法即可實現(xiàn)硅片表面圖案的均勻腐蝕，并保持了近常溫、常壓下濕法腐蝕的特征，獲得表面圖案化微加工的單晶硅片，拓寬了貴金屬催化硅腐蝕的應用范疇，為硅片表面圖案化微加工提供了新的思路和技術手段。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華北電力大學;
- 發(fā)明人李美成;李瑞科;白帆;黃睿;付鵬飛;
- 地址102206 北京市昌平區(qū)北農路2號
- 申請?zhí)?/b>CN201410440150.4
- 申請時間2014年09月01日
- 申請公布號CN105442049A
- 申請公布時間2016年03月30日
- 分類號C30B33/10(2006.01)I;
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