摘要：本發(fā)明屬于納米材料制備方法技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅納米線雙層陣列結(jié)構(gòu)材料的制備方法。本發(fā)明采用（100）單晶硅片，利用金屬納米粒子催化刻蝕技術(shù)減薄硅片，使其厚度低于100?μm。把獲得的薄單晶硅片用聚四氟乙烯夾具夾持并放入刻蝕液，在薄硅片上、下表面同時(shí)刻蝕，控制反應(yīng)溫度與時(shí)間獲得硅納米線雙層陣列結(jié)構(gòu)材料。本發(fā)明首次利用薄硅片上、下表面刻蝕形成硅納米線雙層陣列結(jié)構(gòu)材料，調(diào)控薄單晶硅片的厚度可控制硅納米線陣列雙層結(jié)構(gòu)的厚度。本發(fā)明成本低、操作步驟簡單、且與現(xiàn)有納米器件制備工藝相兼容，可降低新型納米器件的制作成本。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華北電力大學(xué);
- 發(fā)明人李美成;白帆;谷田生;黃睿;
- 地址102206 北京市昌平區(qū)朱辛莊北農(nóng)路2號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210276363.9
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年08月03日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102817084B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年06月10日
- 分類號(hào)C30B33/10(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;
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