摘要：本發(fā)明提供了一種內(nèi)封測量光纖的超導(dǎo)帶材，包括上保護(hù)層、下保護(hù)層、超導(dǎo)帶層以及測量光纖，所述超導(dǎo)帶層和測量光纖封裝在上保護(hù)層和下保護(hù)層之間，所述測量光纖沿長度方向設(shè)置。所述測量光纖采用若干長光纖連續(xù)地封裝在上保護(hù)層和下保護(hù)層之間，或，多根短光纖間斷地封裝在上保護(hù)層和下保護(hù)層之間。同時(shí)還提供了上述超導(dǎo)帶材的制備方法和制備裝置，本發(fā)明可以對超導(dǎo)線圈內(nèi)部所有位置的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測量，無論局部失超的發(fā)生在何處，都可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)；大大簡化了超導(dǎo)線圈的繞制工藝，提高線圈了緊密性和光滑性，這對那些對磁場均勻度要求很高的高性能磁體意義非凡，極大地提高設(shè)備性能。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人上海超導(dǎo)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人洪智勇;王亞偉;
- 地址201210 上海市虹口區(qū)芳春路400號1幢3層301-15室
- 申請?zhí)?/b>CN201410375117.8
- 申請時(shí)間2014年07月31日
- 申請公布號CN104157366A
- 申請公布時(shí)間2014年11月19日
- 分類號H01B12/00(2006.01)I;G01K11/32(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;
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