摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種光電化學(xué)太陽(yáng)能電池光電極微納結(jié)構(gòu)制造工藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長(zhǎng)一層SiO2薄膜、2)在有SiO2層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的SiO2，將光刻的圖形轉(zhuǎn)移到SiO2層、4)鍍Cu膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的Cu、6)生長(zhǎng)Si微米線陣列、7)在Si微米線表面鍍一層ZnO膜、8)在Si微米線表面生長(zhǎng)ZnO納米線、9)在ZnO納米線表面制備一層CdS薄膜、10)在ZnO/CdS結(jié)構(gòu)表面沉積一層CdSe薄膜、11)在ZnO/CdS/CdSe結(jié)構(gòu)表面沉積IrOx量子點(diǎn)。本發(fā)明提供的這種微納分級(jí)結(jié)構(gòu)制造工藝用在光電化學(xué)太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極的應(yīng)用中，有利于光吸收和光生載流子的分離、收集和傳輸，為光電化學(xué)太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極微納結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與制造提供一種解決方案。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人廖廣蘭;孫博;史鐵林;盛文軍;譚先華;江婷;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410162535.9
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年04月22日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103996542B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年01月11日
- 分類(lèi)號(hào)H01G9/20(2006.01)I;
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