摘要：本發(fā)明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲器及其讀、寫、擦除操作方法以及測試電路；基于憶阻的非易失性存儲器電路包括憶阻存儲單元、選址開關(guān)、控制開關(guān)以及分壓電路。本電路的設(shè)計通過行列地址信號對憶阻存儲單元進行選址，通過外加脈沖信號對讀、寫、擦除操作進行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲器的功能測試電路驗證此電路結(jié)構(gòu)的有效性。同時，在此電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對此基于憶阻的非易失性存儲器電路的讀、寫、擦除功能的實現(xiàn)方法，完成對指定憶阻存儲單元的精確的讀、寫、擦除操作。本發(fā)明將為研制基于憶阻的非易失性存儲器提供實驗參考。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人王小平;陳敏;沈軼;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201410041731.0
- 申請時間2014年01月28日
- 申請公布號CN103811058B
- 申請公布時間2016年09月07日
- 分類號G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C29/56(2006.01)I;
教育裝備采購網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號
