摘要：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體設(shè)備的硅片承載區(qū)域氧含量控制方法及控制裝置，通過分階段控制氮?dú)獯等氲牧髁浚瑏磉_(dá)到氧氣含量的控制目標(biāo)，在控制開始時(shí)，對(duì)硅片承載區(qū)域快速吹入氮?dú)?，進(jìn)行氣體置換；當(dāng)氧含量低于設(shè)定值后，切換到PID控制方式，以PID控制計(jì)算值設(shè)定流量值，對(duì)硅片承載區(qū)域慢速吹入氮?dú)猓⒖刂蒲鹾恐敝聊繕?biāo)值。本發(fā)明通過控制模塊控制快速置換空氣閥、排氣閥、直通進(jìn)氣閥和帶MFC的進(jìn)氣閥的啟閉組合，保證了硅片承載區(qū)域的壓力穩(wěn)定在目標(biāo)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，資源節(jié)約，獲得了良好的綜合效果。
- 專利類型發(fā)明專利
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