摘要：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體電阻式氣體傳感器及其制備方法。制備方法包括如下步驟：（1）將半導(dǎo)體膠態(tài)量子點(diǎn)溶液涂覆在印有電極的絕緣襯底上，使其均勻成膜；（2）用短鏈配體溶液處理量子點(diǎn)薄膜；（3）去除殘余的短鏈配體及其副產(chǎn)物；（4）多次重復(fù)執(zhí)行步驟（1）至步驟（3），得到具有所需厚度的半導(dǎo)體膠態(tài)量子點(diǎn)薄膜，完成氣體傳感器的制備。上述方法中，也可以直接在絕緣襯底上成膜，在最后得到的半導(dǎo)體膠態(tài)量子點(diǎn)薄膜上制備電極。氣體傳感器包括絕緣襯底、電極和氣敏層，氣敏層為半導(dǎo)體膠態(tài)量子點(diǎn)薄膜。該氣體傳感器可在常溫下檢測(cè)氣體濃度的瞬間或微量變化，響應(yīng)恢復(fù)速度快且靈敏度高，安全便攜，具有良好的應(yīng)用前景。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人劉歡;唐江;傅邱云;李敏;周東祥;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310634216.9
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年11月29日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103675034B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年05月25日
- 分類號(hào)G01N27/04(2006.01)I;
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