摘要：本發(fā)明公開了一種高密度陰極等離子體源，包括有屏蔽罩，屏蔽罩中設有屏蔽筒，屏蔽筒中設有LaB6陰極、加熱元件，屏蔽罩的后端設有安裝基座，安裝基座為水冷熱沉結構，安裝基座通過數(shù)個支撐桿固定在安裝法蘭的內(nèi)壁上，安裝法蘭安裝進氣連接件作為進氣口，安裝法蘭自外向內(nèi)貫穿一個電連接件，電連接件的周圍與安裝法蘭之間超高真空密封，電連接件的一端與加熱元件連接，安裝法蘭外還設有一水冷電極，水冷電極通過安裝法蘭內(nèi)的水冷接頭與加熱元件連接。本發(fā)明可為各種等離子體物理科研裝置提供高密度等離子體源，應用廣泛。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人合肥聚能電物理高技術開發(fā)有限公司;
- 發(fā)明人李波;吳杰峰;羅廣南;王海京;韋俊;宋春;
- 地址230031 安徽省合肥市蜀山湖路350號中科院等離子體物理研究所研制中心1126信箱
- 申請?zhí)?/b>CN201310173444.0
- 申請時間2013年05月10日
- 申請公布號CN103298233B
- 申請公布時間2016年03月02日
- 分類號H05H1/24(2006.01)I;
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