摘要:本發(fā)明涉及一種恒導(dǎo)磁磁芯及其制造方法和用途。所述恒導(dǎo)磁磁芯由鐵基軟磁合金制成,該合金的分子式為FeaMbCucNbdSneSifBgM’hXi,其中M是Ni和/或Co,M’是元素V、Ti、Mn、Cr、Mo中的至少一種,X表示C、Ge、P以及雜質(zhì),以原子%為單位a、b、c、d、e、f、g、h、i滿足以下條件:0<b≤25;0.5≤c≤2;1≤d≤5;0≤e≤1;7≤f≤17;5≤g≤15;0≤h≤2;0≤i≤0.5;a=100-b-c-d-e-f-g-h-i;該磁芯使用狀態(tài)的微觀組織為納米晶,其中至少50wt.%為平均晶粒尺寸等于或小于50nm的細(xì)晶粒。本發(fā)明的磁芯具有低磁導(dǎo)率、高抗飽和性能,其磁導(dǎo)率在針對(duì)交流和直流分量時(shí)具有高度可調(diào)制性,并具有線性的B-H回線。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人安泰科技股份有限公司;
- 發(fā)明人盧志超;李準(zhǔn);馮碩;吳曉榮;李德仁;
- 地址100081 北京市海淀區(qū)學(xué)院南路76號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310191327.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年05月22日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103258623A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年08月21日
- 分類號(hào)H01F27/24(2006.01)I;H01F1/147(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I;




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