摘要：本發(fā)明提供的基于超材料與半導(dǎo)體低維量子材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)，其由自下而上排列的襯底（1）、緩沖層（2）、半導(dǎo)體低維量子材料（3）、半導(dǎo)體隔層材料（4）、超材料（5）組成，所述超材料（5）是周期排布的金屬線陣列、周期排布的金屬開(kāi)口諧振環(huán)陣列或者漁網(wǎng)結(jié)構(gòu)；所述半導(dǎo)體隔層材料（4）的厚度為5～50納米。本發(fā)明同時(shí)利用了半導(dǎo)體低維量子材料的光增益以及半導(dǎo)體材料對(duì)光信號(hào)的高速響應(yīng)特性，具有補(bǔ)償超材料損耗，調(diào)控超材料性能的雙重功能；在外加控制光或者泵浦光的情況下，這種基于超材料與半導(dǎo)體低維量子材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)全光開(kāi)關(guān)或者全光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的功能，而且具有大消光比的優(yōu)點(diǎn)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人黃黎蓉;孫榮;
- 地址430074 湖北省武漢市武昌珞喻路1037號(hào)華中科技大學(xué)電子與信息工程系
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310057098.X
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年02月22日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103135151B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年11月04日
- 分類號(hào)G02B5/00(2006.01)I;G02F1/017(2006.01)I;G02F2/00(2006.01)I;
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