摘要：本發(fā)明公開了一種降膜結(jié)晶制備電子級硫酸的方法。它將硫酸晶種加至結(jié)晶器頂部；用泵將硫酸原料從結(jié)晶器頂部流加入，底部流出循環(huán)，硫酸在結(jié)晶器中以液膜方式從頂部流下，原料流量為10~40ml/min；以逐步降溫方式進行結(jié)晶，硫酸在結(jié)晶器壁形成晶層，未結(jié)晶原料從結(jié)晶器底部流出，降溫至-5~-16℃；結(jié)晶完成后停泵加料，恒溫10~60min，將未結(jié)晶料液排出；再逐步升溫發(fā)汗；繼續(xù)升溫至晶層完全融化，得到一次結(jié)晶產(chǎn)品。將一次結(jié)晶產(chǎn)品做原料，重復(fù)以上操作，進行二次降膜結(jié)晶，得到電子級硫酸。本方法設(shè)備簡單，生產(chǎn)時間較短，能耗較低，直接可制得MOS級至BV-Ⅲ級電子級硫酸，具有可觀的經(jīng)濟效益。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人甕福（集團）有限責任公司;貴州大學(xué);
- 發(fā)明人朱靜;李天祥;劉飛;丁雪峰;張承屏;宋小霞;
- 地址550002 貴州省貴陽市市南路57號甕福國際23樓
- 申請?zhí)?/b>CN201310041680.7
- 申請時間2013年02月04日
- 申請公布號CN103086329A
- 申請公布時間2013年05月08日
- 分類號C01B17/90(2006.01)I;
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