摘要：本發(fā)明公開了靜態(tài)熔融結(jié)晶生產(chǎn)電子級硫酸的方法，該方法是將高純電子級硫酸降溫結(jié)晶產(chǎn)生晶種；在套管式結(jié)晶器內(nèi)加入原料硫酸降溫并加入原料質(zhì)量0.2％～5％的硫酸晶種，以逐級降溫的方式進行結(jié)晶，結(jié)晶完成后，進行養(yǎng)晶。將殘液放出，再逐級升溫進行發(fā)汗，發(fā)汗結(jié)束后，將發(fā)汗液放出，再升溫，將晶體熔解出，得到一次結(jié)晶產(chǎn)品。將所得一次結(jié)晶液重復(fù)上述操作進行二次靜態(tài)熔融結(jié)晶，得到二次結(jié)晶產(chǎn)品，質(zhì)量可達MOS至BV-Ⅲ級。本發(fā)明生產(chǎn)的電子級硫酸可達MOS級至BV-Ⅲ級。本發(fā)明方法首次將靜態(tài)熔融結(jié)晶法應(yīng)用于電子級硫酸的制備和生產(chǎn)，具有能耗低，方法簡單，產(chǎn)品純度高，級別范圍寬，經(jīng)濟效益高的優(yōu)點。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人甕福（集團）有限責(zé)任公司;貴州大學(xué);
- 發(fā)明人朱靜;李天祥;何浩明;楊三可;解田;曹攀;劉飛;
- 地址550002 貴州省貴陽市市南路57號甕福國際23樓
- 申請?zhí)?/b>CN201110328531.X
- 申請時間2011年10月26日
- 申請公布號CN102502530A
- 申請公布時間2012年06月20日
- 分類號C01B17/90(2006.01)I;
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