摘要：本發(fā)明涉及非晶納米晶合金薄帶制造領(lǐng)域，特別涉及一種具有成分梯度的非晶合金帶材及其制造方法。該非晶合金帶材從表面向內(nèi)部的0~200nm深度范圍內(nèi)，成分梯度元素含量逐漸減少；其中，成分梯度元素為[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]中的至少一種。本發(fā)明利用可在高溫下分解成活性原子的氣體在熔潭周圍溫下分解出[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]等活性原子，將其滲入到熔體中形成濃度梯度，凝固后形成具有成分梯度的非晶合金帶材。本發(fā)明通過控制噴吹氣體的種類和濃度，可以調(diào)節(jié)帶材成分梯度層的元素種類、深度和元素含量。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人安泰科技股份有限公司;
- 發(fā)明人丁力棟;李泉;王建;張志英;王暢;馬躍;
- 地址100081 北京市海淀區(qū)學(xué)院南路76號
- 申請?zhí)?/b>CN201210408407.9
- 申請時(shí)間2012年10月24日
- 申請公布號CN102909326B
- 申請公布時(shí)間2014年08月13日
- 分類號B22D11/06(2006.01)I;B22D11/18(2006.01)I;
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