摘要：一種基于雙軸織構(gòu)金屬基帶的新型復(fù)合隔離層及制備方法，采用三層結(jié)構(gòu)，上層為鋯酸鑭(La2Zr2O7)隔離層，中間層為釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)隔離層，下層為氧化鈰(CeO2)隔離層。本發(fā)明用鋯酸鑭（La2Zr2O7）代替?zhèn)鹘y(tǒng)CeO2/YSZ/CeO2和CeO2/YSZ/Y2O3三層復(fù)合隔離層結(jié)構(gòu)中的CeO2帽子層，并采用射頻磁控濺射鍍膜技術(shù)制備高質(zhì)量的La2Zr2O7隔離層。該方法具有高的穩(wěn)定性，重復(fù)可靠性及高的沉積速率，其制備得到的La2Zr2O7隔離層致密均勻，與YSZ隔離層結(jié)合力強(qiáng)。本發(fā)明基于金屬基帶的La2Zr2O7/YSZ/CeO2復(fù)合隔離層具有單一的（00/）取向，高的面內(nèi)和面外織構(gòu)，表面光潔度好，適合于在其上外延生長(zhǎng)高性能的稀土氧化物超導(dǎo)層。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人上海超導(dǎo)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人徐達(dá);劉林飛;李貽杰;
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- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210242021.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年07月13日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102774074A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年11月14日
- 分類號(hào)B32B15/04(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;
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