摘要：本發(fā)明提供了一種二硼化鎂超導(dǎo)薄膜布圖布線方法及裝置，它在二硼化鎂超導(dǎo)薄膜上做PI屏蔽膜，經(jīng)涂覆PI膜、預(yù)固化、勻光刻膠膜、腐蝕PI膜、PI膜固化熱處理及腐蝕二硼化鎂超導(dǎo)薄膜的處理后得到圖形轉(zhuǎn)移到二硼化鎂超導(dǎo)薄膜上的樣品，實現(xiàn)在二硼化鎂超導(dǎo)薄膜上布圖布線的目的。本發(fā)明提供的在二硼化鎂超導(dǎo)薄膜上制備出各種圖形和連線的方法，可與微電子制造工藝中的光刻技術(shù)完全兼容，不會增加生產(chǎn)設(shè)備和成本，該方法實施的工藝原理簡單，容易操作，成本低廉；能夠精確的控制圖形的尺寸，非常適合于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)，對于實現(xiàn)MgB2超導(dǎo)薄膜的實際應(yīng)用有重大的意義。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人傅興華;楊發(fā)順;周章渝;
- 地址550025貴州省貴陽市花溪區(qū)
- 申請?zhí)?/b>CN200810300259.2
- 申請時間2008年01月30日
- 申請公布號CN101226984A
- 申請公布時間2008年07月23日
- 分類號H01L39/24(2006.01);
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