EBIC電子束感應(yīng)電流分析系統(tǒng)
添加時(shí)間：2022-02-28 15:03:00
裕隆時(shí)代向用戶提供專業(yè)的的電子束感應(yīng)電流分析系統(tǒng)EBICEBIC電子束感應(yīng)電流分析系統(tǒng)是一種基于掃描電子顯微鏡（SEM）的圖像采集及分析系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體器件及其他材料的失效及結(jié)構(gòu)分析。
它通過分析電子束照射樣品時(shí)在樣品內(nèi)產(chǎn)生的電流信號，以圖像方式直觀表征出樣品特征、樣品中P-N結(jié)位置、失效區(qū)域，并可以突出顯示樣品的非同質(zhì)性區(qū)域，從而對樣品進(jìn)行全面分析。
EBIC原理
當(dāng)掃描電鏡電子束作用于半導(dǎo)體器件時(shí)，如果電子束穿透半導(dǎo)體表面，電子束電子與器件材料晶格作用將產(chǎn)生電子與空穴。這些電子和空穴將能較為自由地運(yùn)動，但如果該位置沒有電場作用，它們將很快復(fù)合湮滅（發(fā)射陰極熒光），若該位置有電場作用（如晶體管或集成電路中的pn結(jié)），這些電子與空穴在電場作用下將相互分離。故一旦在pn結(jié)的耗盡層或其附近位置產(chǎn)生電子空穴對，空穴將向p型側(cè)移動，電子將向n型側(cè)移動，這樣將有一靈敏放大器可檢測到的電流通過結(jié)區(qū)。該電流即為電子束感生電流（EBIC）[1～3]。由于pn結(jié)的耗盡層有很多的多余載流子，故在電場作用下的電子空穴分離會產(chǎn)生較大的電流值，而在其它的地方電流大小將受到擴(kuò)散長度和擴(kuò)散壽命的限制，故利用EBIC進(jìn)行成像可以用來進(jìn)行集成電路中pn結(jié)的定位和損傷研究。
EBIC應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于：
1）材料晶格缺陷探測分析，缺陷以黑點(diǎn)和黑線標(biāo)識出來；
2）P-N結(jié)缺陷區(qū)域定位；
3）雙極電路中導(dǎo)致集電極-發(fā)射極漏電電流的收集管路的探測；
4）探測額外連接或者多層摻雜；
5）確定靜電放電/電過載（ESD/EOS）導(dǎo)致的失效位置；
6）測量減壓層/耗盡層（depletion layer）寬度和少數(shù)載流子擴(kuò)散長度和時(shí)間（minority carrier diffusion lengths/lifetimes）
等等。
EBIC圖像對于電子-空穴的重新組合非常敏感，因此EBIC技術(shù)能夠非常有效的對半導(dǎo)體材料缺陷等進(jìn)行失效分析。
EBIC acquisitionThe best quantitative electronics and Software for Electron Beam Induced Current (EBIC)
Correlate topography,composition and structure with elecrical activity
Record simultaneous EBIC, SE, BSE and EDS signals
Colour and mix signals for spatial correlation
Distinguish between active and passive defects
Enable TEM or atom probe microscopy sample preparation
Localise defects with sufficient resolution for TEM sample preparation
Avoid alignment error by directly imaging defects with EBIC in FIB SEM
Use live EBIC imaging to stop ion milling for sample preparation
Verify device operation modes with built-in DC biasing and live overlay
Image junctions and fields in delayered devices
Map electrical activity of solar cells under bias
Compare imaged behaviour with device modelling
Map junctions defects with the highest possible resolution
Correlate structural defects with electrical activity
Map active areas of junctions and electrical fields
Validate doping profiles and areas
Access third dimension with depth profiling
Manipulate depth of EBIC signal by changing kV in SEM
Investigate EBIC images of cross-sections in FIB-SEM
Export EBIC depth series for 3D reconstruction
