
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR PLUS是一款通過CE認(rèn)證的用于人體非侵入性腦刺激的設(shè)備,支持以下多種經(jīng)顱電刺激( transcranial electrical stimulation, tES)技術(shù):
tDCS – 經(jīng)顱直流電刺激 transcranial direct current stimulation
tACS – 經(jīng)顱交流電刺激 transcranial alternating current stimulation
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器采用持續(xù)幾分鐘的微弱電流來改變神經(jīng)細(xì)胞膜表面電荷變化并直接對(duì)神經(jīng)傳導(dǎo)通道產(chǎn)生影響。這將導(dǎo)致腦細(xì)胞興奮性的增強(qiáng)或者減弱。從而對(duì)認(rèn)知功能、情緒、決策過程等產(chǎn)生調(diào)控作用。廣泛地應(yīng)用于心理學(xué)、認(rèn)知神經(jīng)科學(xué)、神經(jīng)經(jīng)濟(jì)學(xué)、人因工程研究領(lǐng)域。
腦盒(北京)科技有限公司為德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器中國區(qū)代理
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR PLUS是一個(gè)微處理器控制的恒定電流源。通過對(duì)電流回路分別進(jìn)行軟硬件多級(jí)監(jiān)控確保達(dá)到極高安全標(biāo)準(zhǔn)。通過連續(xù)監(jiān)測(cè)電極的阻抗,它可以自動(dòng)調(diào)整維持用戶自定義的電流強(qiáng)度,并可在檢測(cè)到電極片與皮膚未充分接觸時(shí)自動(dòng)終止刺激以便確保用戶安全。

德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR PLUS特點(diǎn)
微處理控制的恒流電源
單通道,單極(DC模式),雙極(AC模式)多種刺激可選
支持電流多級(jí)監(jiān)測(cè)功能保證設(shè)備安全
刺激模式:?jiǎn)未碳ぃㄟB續(xù)刺激,可調(diào)節(jié),漸入和漸出)
刺激模式:脈沖刺激(循環(huán)開啟/關(guān)閉刺激,可調(diào)脈沖寬度和間隔)
刺激模式:正弦(雙極正弦波,偏移、頻率、相位和振蕩周期可調(diào)節(jié))
刺激模式:噪聲,低通噪聲,高通噪聲(寬頻帶隨機(jī)正態(tài)分布、低頻和高頻噪聲,偏移和持續(xù)時(shí)間可調(diào))
研究模式:用于進(jìn)行真刺激和偽刺激的雙盲操作,包含由大約200個(gè)代碼組成的的編碼表,設(shè)置獨(dú)立可調(diào)(可對(duì)參數(shù)進(jìn)行保存以避免誤修改)
患者模式:簡(jiǎn)易安全(參數(shù)鎖定,用于患者在家時(shí)的安全和受控使用)*
支持外部觸發(fā)輸入接口*,觸發(fā)輸出接口*

德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR PLUS規(guī)格
可調(diào)電流(DC)達(dá)4,500μA** 步長(zhǎng)25μA連續(xù)可調(diào)
模數(shù)轉(zhuǎn)換率 12Bit
內(nèi)部時(shí)間分辨率1 ms(采樣率1,280 sps)
1% 相對(duì)直流容錯(cuò)
單刺激模式持續(xù)時(shí)間15-1,800s**,步長(zhǎng)15s連續(xù)可調(diào),淡入/淡出持續(xù)時(shí)間1-120 s,步長(zhǎng)1 s
脈沖刺激模式:完整脈沖周期持續(xù)時(shí)間/刺激間隔(ISI)300-2,000 ms,步長(zhǎng)100 ms,脈沖寬度200-(ISI-100),步長(zhǎng)100 s,脈沖周期數(shù)1-500
正弦刺激模式:可調(diào)電流達(dá)3,000 μA (p-p)**,步長(zhǎng)25μA,偏移0-±1,000μA,步長(zhǎng)10μA,頻率達(dá)250 Hz,步長(zhǎng)0.01 Hz,可調(diào)相位0-360°,步長(zhǎng)5°,可調(diào)應(yīng)用時(shí)間達(dá)30 min*
噪聲、低通噪聲、高通噪聲刺激模式:可調(diào)電流達(dá)±1,500μA (p-p),偏移0-±1,000μA,步長(zhǎng)50μA,持續(xù)時(shí)間0-1,800 s**,步長(zhǎng)5 s,電流在0-120 s期間內(nèi)可調(diào)為達(dá)到或離開振蕩水平
電壓限值: ±20V
內(nèi)置可充電電池供電
長(zhǎng)工作時(shí)間 ≥6h@1mA<br< a=""> />帶背光燈字母數(shù)字顯示屏,4個(gè)薄膜按鍵
防接觸電極接頭符合DIN 42802-2 (Φ1.5 mm)規(guī)范
耗電量約為1.2 W(取決于顯示器亮度和應(yīng)用電流)
尺寸:13.5cm×22.5cm×5.5.cm(W×D×H),重量(包括電池):0.8kg
*可選
**超過2,000μA的電流及多于20 min的應(yīng)用時(shí)間只作研究用途。
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR PLUS支持選配核磁兼容模塊。
在fMRI中使用DC-STIMULATOR
在EPI序列期間不會(huì)干擾fMRI圖像
DC-STIMULATOR PLUS可選件
觸發(fā)模塊,可與外部觸發(fā)器安全連接
使用正弦刺激模式時(shí)的相位同步觸發(fā)輸出
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR MC系列為多功能獨(dú)立多通道電刺激系統(tǒng),支持經(jīng)顱交流電刺激,經(jīng)顱直流電刺激,高精度電刺激等。
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR MC 系統(tǒng)具有非常大的靈活性,可以配置為用于同時(shí)刺激多個(gè)被試以便進(jìn)行群組實(shí)驗(yàn),也可以通過選配HD-tES組件對(duì)同一個(gè)被試進(jìn)行高精度電刺激high definition stimulation (HD-tES) 。
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR MC 提供了由芯片控制的16個(gè)獨(dú)立可編程恒流通道 。通過對(duì)電流回路分別進(jìn)行軟硬件多級(jí)監(jiān)控確保達(dá)到高安全標(biāo)準(zhǔn)。通過連續(xù)監(jiān)測(cè)電極的阻抗,它可以自動(dòng)調(diào)整維持用戶自定義的電流強(qiáng)度,并可在檢測(cè)到電極片與皮膚未充分接觸時(shí)自動(dòng)終止刺激以便確保用戶安全。
通過選配MR升級(jí)組件,DC-STIMULATOR MC 可以擴(kuò)展為MRI兼容刺激系統(tǒng),從而實(shí)現(xiàn)HD-tDCS-MRI刺激。
德國NeuroConn經(jīng)顱直流電刺激器DC-STIMULATOR MC 特點(diǎn)
4個(gè)可編程的,微處理器控制的獨(dú)立通道恒流源 (8,16個(gè)通道)*
用于經(jīng)顱直流電刺激(tDCS)、經(jīng)顱交流電刺激(tACS)、顱電刺激(CES)、直流電前庭刺激(GVS)和經(jīng)顱隨機(jī)噪聲刺激 (tRNS)
4個(gè)通道,交流電刺激、雙極刺激可用 (8,16個(gè)通道)*
專用醫(yī)用級(jí)計(jì)算機(jī)用于刺激模式和刺激序列使用及編程
可以選擇并結(jié)合多種刺激,連續(xù)刺激,循環(huán)開啟/關(guān)閉刺激,正弦刺激等 (達(dá)1,000 Hz)
支持導(dǎo)入刺激序列,可采用用戶指定的信號(hào)序列控制DC-STIMULATOR MC
支持電流多級(jí)監(jiān)測(cè)功能保證設(shè)備安全
支持外部觸發(fā)輸入*
DC-STIMULATOR MC規(guī)格
可達(dá)±5,000μA的電流和波形**
交流電可調(diào)范圍可達(dá)3,000μA (峰對(duì)峰)**
頻率0-1,000 Hz可選,相位可自由調(diào)節(jié)
可自由選擇應(yīng)用持續(xù)時(shí)間**
D/A 轉(zhuǎn)換16-bit
時(shí)間分辨率< 1 ms(采樣率24,000 sps)
以每秒8,000個(gè)測(cè)量的頻率記錄刺激序列,1%相對(duì)直流容錯(cuò)
0.02%直流電流波動(dòng)
刺激期間電流變化< 0.02%
電壓限值26V
由外部醫(yī)用電源供電
尺寸:420 mm×395 mm×170 mm (W×D×H)
重量:4.2 kg
*可選
**超過2,000μA的電流及多于20 min的應(yīng)用時(shí)間只作研究用途。
DC-STIMULATOR MC的fMRI附加組件
在fMRI中使用DC-STIMULATOR
在EPI序列期間不會(huì)干擾fMRI圖像
DC-STIMULATOR MC可選件
觸發(fā)模塊,可與外部觸發(fā)器安全連接
Borckardt JJ, Bikson M, Frohman H, Reeves ST, Datta A, Bansal V, Madan A, Barth K, George MS.
J Pain. 2012 Feb;13(2):112-20. doi: 10.1016/j.jpain.2011.07.001. Epub 2011 Nov 21.
Optimized multi-electrode stimulation increases focality and intensity at target.
Dmochowski JP, Datta A, Bikson M, Su Y, Parra LC.
J Neural Eng. 2011 Aug;8(4):046011. doi: 10.1088/1741-2560/8/4/046011. Epub 2011 Jun 10.