主要應(yīng)用:
-適用于半導(dǎo)體用薄膜(Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO ……)
-CIGS太陽能電池?zé)o鎘緩沖層沉積
-晶硅太陽能電池表面鈍化層沉積
-硅基WVTR(水蒸氣透過率)的阻擋層
-Micro-OLED封裝層
-柔性襯底用阻擋層
-OLED封裝層
-柔性O(shè)LED顯示器、柔性O(shè)LED照明、量子點、鈣鈦礦LED、柔性太陽能電池等高水分阻隔膜的卷對卷(R2R)ALD工藝:
-可用于 LTPO TFT IGZO薄膜沉積
特點:
1.ALD高k介質(zhì),厚度均勻性好,保形步進覆蓋。
2.先進的工藝套件和小體積的短周期室
3.實現(xiàn)了ALD機構(gòu)(行波法)
4.小腳印全集成工藝模塊
5.過程控制方便,供氣線路長度小。