新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ
| Quantum Design Japan公司推出的高溫光學(xué)浮區(qū)法單晶爐，采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設(shè)計(jì)，高溫度可達(dá)2100℃-2200℃，系統(tǒng)采用冷卻節(jié)能設(shè)計(jì)（不需要額外冷卻系統(tǒng)），穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的恒定加熱功率...... 應(yīng)用領(lǐng)域 可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。 |
激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作，跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
● 采用全新五束激光設(shè)計(jì)，確保熔區(qū)能量分布更加均勻
● 更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力
● 用了特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)
RIKEN（CEMS）設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物
新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：
| 加熱控制 | 加熱類型 | 5束激光 |
| 激光功率 | 2KW、1.5KW兩種規(guī)格可選 | |
| 熔區(qū)溫度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
| 晶體生長控制 | 晶體生長大設(shè)計(jì)長度 | 150mm* |
| 晶體生長大設(shè)計(jì)直徑 | 8mm* | |
| 晶體生長大速度/轉(zhuǎn)速 | 300mm/hr; 100rpm | |
| 樣品腔可施加大壓力 | 10bar | |
| 樣品腔氣氛 | 多種氣路（O2/Ar/混合氣等）可供選配 | |
| 晶體生長監(jiān)控 | 高清攝像頭 | |
| 晶體生長控制 | PC控制 |
*具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件
應(yīng)用案例
采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例：
Ruby | Dy2Ti2O7 | BaTiO3 |
Sr2RuO4 | SmB6 |
Ba2Co2Fe12O22 | Y3Fe5O12 |
* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用戶單位
東京大學(xué)
日本國立材料研究所
