摘要：本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：形成第一導(dǎo)電層于基板上；形成第二導(dǎo)電層于基板上；形成第三導(dǎo)電層于基板上，其中所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者疊放且間隔設(shè)置，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者在垂直空間上相互覆蓋；以及在形成第一導(dǎo)電層后，形成主動開關(guān)于像素區(qū)內(nèi)，其中所述第一導(dǎo)電層和主動開關(guān)的漏極耦合；所述第二導(dǎo)電層和第一電壓線耦合；所述第三導(dǎo)電層和第二電壓線耦合。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)具有并列的多個存儲電容同時保持像素結(jié)構(gòu)的像素電壓大小，減小多個寄生電容的影響，改善耦合效應(yīng)的影響。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司;
- 發(fā)明人陳猷仁;
- 地址518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民營工業(yè)園惠科工業(yè)園廠房1、2、3棟，九州陽光1號廠房6、7樓
- 申請?zhí)?/b>CN201611270994.4
- 申請時間2016年12月30日
- 申請公布號CN106527005A
- 申請公布時間2017年03月22日
- 分類號G02F1/1362(2006.01)I;
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