摘要：本發(fā)明提供了一種連接器、直插式DRAM顆粒、內(nèi)存測(cè)試裝置及方法，所述連接器包括：連接器本體和至少一個(gè)連接插針，其中，每一個(gè)所述連接插針包括插針本體、位于所述插針本體一端的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM連接結(jié)構(gòu)、位于所述插針本體另一端的焊盤連接結(jié)構(gòu)；所述DRAM連接結(jié)構(gòu)和所述焊盤連接結(jié)構(gòu)具有導(dǎo)電特性；每一個(gè)所述連接器插針的插針本體穿透所述連接器本體，并使得所述DRAM連接結(jié)構(gòu)和所述焊盤連接結(jié)構(gòu)分別位于所述連接器本體的兩側(cè)；所述DRAM連接結(jié)構(gòu)，用于通過兩側(cè)夾持的方式連接外部?jī)?nèi)存條上的DRAM顆粒；所述焊盤連接結(jié)構(gòu)，用于通過插接的方式連接外部焊盤。本發(fā)明提供的方案能夠針對(duì)內(nèi)存條上每一個(gè)DRAM顆粒進(jìn)行測(cè)試。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司;
- 發(fā)明人李德恒;
- 地址250100 山東省濟(jì)南市高新區(qū)浪潮路1036號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610634329.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年08月05日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN106299786A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年01月04日
- 分類號(hào)H01R13/02(2006.01)I;H01R31/06(2006.01)I;G11C29/56(2006.01)I;
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