摘要：本發(fā)明提供了一種核殼量子點(diǎn)的表面優(yōu)化方法。該核殼量子點(diǎn)的殼層為硫化物，該表面優(yōu)化方法包括：去除具有核殼量子點(diǎn)的第一反應(yīng)體系中的硫化氫，得到去除表面缺陷的核殼量子點(diǎn)。由于合成上述量子點(diǎn)的殼層過程中硫化氫是不可避免會(huì)存在的，且硫化氫是以氣體方式存在于體系中，在將具有核殼量子點(diǎn)的第一反應(yīng)體系中的硫化氫去除后，由于硫化氫導(dǎo)致缺陷明顯減弱甚至消失，進(jìn)而使得核殼量子點(diǎn)的表面得到優(yōu)化，提高了其熒光量子產(chǎn)率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人濮超丹;彭笑剛;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610332620.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年05月18日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN106010499A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年10月12日
- 分類號(hào)C09K11/02(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I;
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