摘要：本發(fā)明一種鈮酸鉀鉛壓電單晶的制備方法，將先合成的鈮酸鉀鉛多晶料壓成致密圓柱狀料塊，選擇不同取向的高質(zhì)量鈮酸鉀鉛單晶作為籽晶，將籽晶裝入坩堝底部的種井部位，然后將原料塊裝入坩堝，使原料塊處于爐膛內(nèi)高溫區(qū)，爐溫控制在1360~1390℃，保持固液界面溫度梯度為6~10℃/cm，保溫3~7小時(shí)使多晶粉料充分熔融，坩堝下降速率為0.2~0.5mm/h；待原料全部結(jié)晶后，使坩堝處于爐膛恒溫區(qū)，在1000~1200℃下保溫，然后以30~50℃/h速率緩慢降溫至室溫，取出晶體，即可得到淺黃色鈮酸鉀鉛壓電單晶。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量鈮酸鉀鉛單晶的生長，降低了單晶制備難度，極大提高了鈮酸鉀鉛壓電單晶的成品率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人上海應(yīng)用技術(shù)學(xué)院;
- 發(fā)明人田甜;劉文斌;李雨萌;徐家躍;儲(chǔ)耀卿;雷云;周鼎;申慧;
- 地址200235 上海市徐匯區(qū)漕寶路120號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610129276.9
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年03月08日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105586638A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年05月18日
- 分類號(hào)C30B29/30(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;
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