摘要：本發(fā)明公開的具有分級納米點(diǎn)結(jié)構(gòu)的二氧化鈦基復(fù)合薄膜，是在基底上從下而上依次有二氧化鈦納米點(diǎn)層和光敏半導(dǎo)體納米點(diǎn)層。采用溶膠?凝膠法制備具有分級納米點(diǎn)結(jié)構(gòu)的二氧化鈦基復(fù)合薄膜，首先在基底上旋涂二氧化鈦前驅(qū)體溶膠，退火干燥處理，在基底上獲得二氧化鈦納米點(diǎn)層，然后在其上旋涂光敏半導(dǎo)體前驅(qū)體溶膠，退火干燥處理，便在基底上獲得具有分級納米點(diǎn)結(jié)構(gòu)的二氧化鈦基復(fù)合薄膜。本發(fā)明的復(fù)合薄膜不僅具有優(yōu)異的光致親水性，而且具有較大的比表面積，有利于細(xì)胞的初始附著、增殖和分化。本發(fā)明方法簡便，成本低，便于推廣應(yīng)用，可廣泛應(yīng)用于體外細(xì)胞培養(yǎng)、組織工程等生物醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人程逵;孫俞;翁文劍;宋晨路;杜丕一;沈鴿;趙高凌;張溪文;徐剛;汪建勛;韓高榮;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201410346487.9
- 申請時(shí)間2014年07月21日
- 申請公布號CN104175680B
- 申請公布時(shí)間2016年08月17日
- 分類號B32B33/00(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B17/06(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;A61L27/40(2006.01)I;A61L27/10(2006.01)I;A61L27/02(2006.01)I;A61L27/04(2006.01)I;A61L27/06(2006.01)I;C12N5/00(2006.01)I;
教育裝備采購網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號
