摘要：本發(fā)明公開了一種CNx場發(fā)射陰極的制作方法，該方法選擇鈦片作為基底，利用懸濁液靜置沉降法在基底上形成含有CNx的膠膜，通過HFCVD熱處理在基底與CNx顆粒之間鍵合生成TiC過渡層。其制作方法包括：先對基底鈦片進(jìn)行拋光處理，然后利用懸濁液靜置沉降法在其上形成含有CNx顆粒的有機(jī)膠膜，最后采用真空熱處理使有機(jī)膠膜分解揮發(fā)，同時(shí)形成CNx顆粒與基底的鍵合。本發(fā)明制備的CNx平面場發(fā)射陰極，由于在基底與CNx顆粒之間鍵合生成過渡層，降低了界面處的電子勢壘，實(shí)現(xiàn)高密度的電子注入，同時(shí)，也加強(qiáng)了CNx與基底的黏附性。該法制備CNx場發(fā)射陰極，工藝簡單、成本低廉、易于推廣。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西北大學(xué);
- 發(fā)明人翟春雪;張志勇;楊延寧;趙武;王雪文;閆軍鋒;
- 地址710069 陜西省西安市太白北路229號
- 申請?zhí)?/b>CN201110312674.1
- 申請時(shí)間2011年10月16日
- 申請公布號CN102361000B
- 申請公布時(shí)間2013年07月31日
- 分類號B05D3/02(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;
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