摘要：本發(fā)明公開了一種結(jié)合電池和DRAM的硬盤存儲設(shè)備，該方法包括：把DRAM內(nèi)存(動態(tài)隨機存儲器)與傳統(tǒng)硬盤或固態(tài)硬盤結(jié)合，使用充電電池供電，并以傳統(tǒng)硬盤或固態(tài)硬盤作為后備永久存儲部件，平時采用DRAM內(nèi)存作為主要存儲部件。當(dāng)電源斷電或DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量超過預(yù)先設(shè)定的閾值時，則將DRAM中的數(shù)據(jù)寫入傳統(tǒng)硬盤或固態(tài)硬盤中。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有讀寫數(shù)據(jù)速度快、可延長硬盤壽命、避免因中途斷電而造成的硬盤數(shù)據(jù)丟失和物理損毀的優(yōu)點。本發(fā)明同時公開了一種結(jié)合電池DRAM的硬盤存儲裝置。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京安碼科技有限公司;
- 發(fā)明人李揚;辛陽;杜曉峰;包一兵;
- 地址100876 北京市海淀區(qū)學(xué)院南路34號
- 申請?zhí)?/b>CN200910244253.2
- 申請時間2009年12月28日
- 申請公布號CN102110034A
- 申請公布時間2011年06月29日
- 分類號G06F11/20(2006.01)I;G06F12/16(2006.01)I;
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