摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種結(jié)合電池和DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)設(shè)備，該方法包括：把DRAM內(nèi)存(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)與傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)結(jié)合，使用充電電池供電，并以傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)作為后備永久存儲(chǔ)部件，平時(shí)采用DRAM內(nèi)存作為主要存儲(chǔ)部件。當(dāng)電源斷電或DRAM內(nèi)存中的數(shù)據(jù)量超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值時(shí)，則將DRAM中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入傳統(tǒng)硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)中。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有讀寫(xiě)數(shù)據(jù)速度快、可延長(zhǎng)硬盤(pán)壽命、避免因中途斷電而造成的硬盤(pán)數(shù)據(jù)丟失和物理?yè)p毀的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明同時(shí)公開(kāi)了一種結(jié)合電池DRAM的硬盤(pán)存儲(chǔ)裝置。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人北京安碼科技有限公司;
- 發(fā)明人李揚(yáng);辛陽(yáng);杜曉峰;包一兵;
- 地址100876 北京市海淀區(qū)學(xué)院南路34號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200910244253.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年12月28日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102110034A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2011年06月29日
- 分類號(hào)G06F11/20(2006.01)I;G06F12/16(2006.01)I;
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