摘要：本發(fā)明提供一種RF-SIM卡電路，包括MCU和蓄能延時(shí)單元，所述MCU控制所述蓄能延時(shí)單元循環(huán)進(jìn)行充放電，所述蓄能延時(shí)單元放電完畢后所述MCU進(jìn)入休眠狀態(tài)，所述蓄能延時(shí)單元充電完畢后喚醒處于休眠狀態(tài)的所述MCU。本發(fā)明還提供一種控制上述電路的方法。本發(fā)明所提供的電路和方法采用蓄能延時(shí)單元循環(huán)進(jìn)行充放電，蓄能延時(shí)單元循環(huán)充放產(chǎn)生了延時(shí)效果，而整個(gè)MCU在延時(shí)過程中是處于完全休眠狀態(tài)，達(dá)到降低MCU功耗的效果，從而整個(gè)RF-SIM卡的功耗也隨之降低。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人武漢天喻信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司;
- 發(fā)明人黃書偉;吳俊軍;王同洋;付積存;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)華工大學(xué)科技園
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201010223207.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2010年07月05日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101916390A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2010年12月15日
- 分類號(hào)G06K19/077(2006.01)I;H02J7/00(2006.01)I;
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