摘要：一種大尺寸硅片用化學機械拋光液及其制備方法，主要應用于大尺寸半導體硅襯底片的超精密加工，能夠獲得納米級超光滑表面。所述拋光液的組份和含量的重量百分比如下：二氧化硅磨料5～50；pH值調(diào)節(jié)劑1～10；表面活性劑0.01～5；助清洗劑0.01～0.05；螯合劑0.01～2：去離子水余量；所述二氧化硅以硅溶膠的狀態(tài)加入。按上述組份和含量制成拋光液，在合適的拋光工藝條件下，獲得了高質(zhì)量的拋光表面，滿足了半導體工業(yè)對硅襯底片表面質(zhì)量和去除速率的要求，且本發(fā)明具有成本低、易清洗以及低腐蝕性等優(yōu)點，具備很好的應用前景。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京國瑞升科技有限公司;
- 發(fā)明人張永峰;王寶運;
- 地址100085 北京市海淀區(qū)上地信息路12號中關村發(fā)展大廈C座401室
- 申請?zhí)?/b>CN201010207551.7
- 申請時間2010年06月13日
- 申請公布號CN101870852A
- 申請公布時間2010年10月27日
- 分類號C09G1/02(2006.01)I;C23F3/00(2006.01)I;
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