摘要：本發(fā)明公開了一種采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，要解決的技術(shù)問題是在不較大增加金屬標(biāo)簽厚度的情況下，保證金屬電子標(biāo)簽的讀寫性能，提高標(biāo)簽的帶寬。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，具有電子標(biāo)簽，所述電子標(biāo)簽粘貼在光子晶體上，所述光子晶體由相對磁導(dǎo)率為30-100、相對介電常數(shù)為10-20的柔性高磁導(dǎo)率材料作為標(biāo)簽襯底，其上粘貼有金屬薄膜，金屬薄膜上蝕刻有整齊的膜片陣元的金屬陣列，陣元之間的縫隙寬度一致，電子標(biāo)簽粘貼在金屬薄膜上。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，天線增益會增加3dB，光子晶體結(jié)構(gòu)在UHF頻段具有比較寬的帶寬，這樣既可以保證電子標(biāo)簽在金屬表面的正常使用，又不會使標(biāo)簽厚度增加。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人深圳市遠(yuǎn)望谷信息技術(shù)股份有限公司;
- 發(fā)明人汪勇;劉奕昌;武岳山;
- 地址518057 廣東省深圳市南山區(qū)科技園南區(qū)T2-B棟
- 申請?zhí)?/b>CN201010186733.0
- 申請時間2010年05月28日
- 申請公布號CN101853412B
- 申請公布時間2012年07月04日
- 分類號G06K19/067(2006.01)I;
教育裝備采購網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號
