摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，要解決的技術(shù)問(wèn)題是在不較大增加金屬標(biāo)簽厚度的情況下，保證金屬電子標(biāo)簽的讀寫(xiě)性能，提高標(biāo)簽的帶寬。本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，具有電子標(biāo)簽，所述電子標(biāo)簽粘貼在光子晶體上，所述光子晶體由相對(duì)磁導(dǎo)率為30-100、相對(duì)介電常數(shù)為10-20的柔性高磁導(dǎo)率材料作為標(biāo)簽襯底，其上粘貼有金屬薄膜，金屬薄膜上蝕刻有整齊的膜片陣元的金屬陣列，陣元之間的縫隙寬度一致，電子標(biāo)簽粘貼在金屬薄膜上。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，天線增益會(huì)增加3dB，光子晶體結(jié)構(gòu)在UHF頻段具有比較寬的帶寬，這樣既可以保證電子標(biāo)簽在金屬表面的正常使用，又不會(huì)使標(biāo)簽厚度增加。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
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- 發(fā)明人汪勇;劉奕昌;武岳山;
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- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201010186733.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2010年05月28日
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- 申請(qǐng)公布時(shí)間2010年10月06日
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