摘要:本發(fā)明提供了一種經(jīng)硼先驅(qū)薄膜實(shí)現(xiàn)二硼化鎂超導(dǎo)薄膜布圖布線方法及裝置,它在硼先驅(qū)薄膜上做PI屏蔽膜,經(jīng)涂覆PI膜、預(yù)固化、勻光刻膠膜、腐蝕PI膜、PI膜固化熱處理及腐蝕硼薄膜的處理后得到圖形轉(zhuǎn)移到硼薄膜上的樣品,該樣品再和少量的鎂放入密封的鉭坩堝中,在高純氬氣中高溫退火,實(shí)現(xiàn)在二硼化鎂超導(dǎo)薄膜上布圖布線的目的。本發(fā)明提供的通過硼先驅(qū)膜的布圖布線實(shí)現(xiàn)二硼化鎂超導(dǎo)薄膜布圖布線的方法,可與微電子制造工藝中的光刻技術(shù)完全兼容,不會(huì)增加生產(chǎn)設(shè)備和成本,該方法實(shí)施的工藝原理簡單,容易操作,成本低廉;能夠精確的控制圖形的尺寸,非常適合于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn),對(duì)于實(shí)現(xiàn)MgB 2超導(dǎo)薄膜的實(shí)際應(yīng)用有重大的意義。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人傅興華;楊發(fā)順;周章渝;
- 地址550025 貴州省貴陽市花溪區(qū)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200810300269.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2008年01月30日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101226985B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2010年06月02日
- 分類號(hào)H01L39/24(2006.01)I;




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