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產(chǎn)品報價： ￥188元

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產(chǎn)品熱度：加載中

產(chǎn)品型號：GKH-HTGB-C16

適用范圍：高教

所在地區(qū)：

　　華科智源-HTGB高溫柵偏系統(tǒng)，將被測量元件放置在一定的環(huán)境溫度中，給被測元件的柵極施加一定的偏置電壓。系統(tǒng)實時檢測每個材料的漏電流、電壓，當(dāng)被測材料實時漏電流超過設(shè)定值時，自動切斷被測材料上的電壓。

　　品牌： HUSTEC

　　名稱： HTGB高溫柵偏試驗系統(tǒng)

　　型號： GKH-HTGB-C16

　　產(chǎn)品詳情

　　★主要技術(shù)規(guī)格和性能:

　　產(chǎn)品型號GKH-HTGB-C16

　　產(chǎn)品名稱高溫柵偏試驗系統(tǒng)

　　高溫試驗箱PH-201高溫試驗箱一臺，

　　試驗區(qū)域16個 

　　試驗容量每通道80工位，共16通道。

　　試驗電源選配TDK的Z+系列電源或安捷倫試驗電源。

　　電源數(shù)量：配置4臺/8臺電源。

　　輸出范圍：0～35V或0～60V。

　　主要功能① 正常HTGB試驗，通過按鈕可以選擇正柵壓或負(fù)柵壓，兩種偏壓工作時只能二選一，不能同時工作。

　　② 熱阻測量，即測量HTGB工作時的Tj值。

　?、?高溫試驗箱內(nèi)可放置4層板或8層板。具體需根據(jù)器件的封裝尺寸定義。當(dāng)被測量模塊體積過大時，由于體積的限制，被測器件數(shù)據(jù)需相應(yīng)減少。

　?、?可選配溫度可達(dá)到300℃的高溫試驗箱。

　　測控功能① 檢測每個材料的電壓、漏電流值。

　?、?漏電流超限保護(hù)，自動切斷測量回路。

　　③ 測量電流范圍：1nA～100uA；

　　④ 電流分辨率：0.5nA；

　?、?測量精度：±2%±3nA；

　　防靜電設(shè)計① 設(shè)備外殼良好接地；

　?、?預(yù)留靜電接地端子（香蕉插頭插孔）方便操作員連接靜電環(huán)。

　　計算機(jī)工業(yè)級電腦主機(jī)、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標(biāo)。WINDOWS操作界面，友好的人機(jī)對話窗口， 強(qiáng)大的圖形編輯能力以及強(qiáng)大的器件庫供用戶選擇，軟件操作簡單易學(xué)。更有系統(tǒng)查詢診斷功能， 試驗狀況一目了然，方便用戶隨時查驗。

　　老化板可按客戶的器件封裝定制老化板。

　　電網(wǎng)要求單相AC220V±10%，47Hz~63Hz，6KW

　　外形尺寸W1360mmхH1820mmхD1320mm

　　重量約500kg 

　　HTRB/HTGBJ測試介紹

　　高溫反偏試驗（High Temperature Reverse Bias Test，HTRB）是在高溫下加上反向偏壓的工作模式，由于高溫下漏電流增加，質(zhì)量差的器件就會失效，以此評估產(chǎn)品的可靠性。

　　測試溫度：125℃，150℃或175℃。

　　測試時間：168h，500h，1000h。

　　測試目的：研究器件在靜態(tài)工作模式下，以高額定反向直流電壓下或者80%高額定反向直流電壓進(jìn)行工作，以確定偏置條件和溫度隨時間對固態(tài)設(shè)備的影響。

　　參考測試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108

　　高溫柵偏試驗（High Temperature Gate Bias, HTGB）主要是用于測定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。

　　測試溫度：150℃或175℃。

　　測試時間：500h，1000h。

　　參考測試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108

　　HTBR和HTGB是可靠性測試中

　　常見的測試項目。

　　適用測試器件：功率二極管， SiC肖特基和肖特基二極管，晶閘管，三端雙向可控硅和IGBT。

　　試驗設(shè)備：高溫反偏試驗機(jī)